芯片级石墨烯/IGZO冷源FET阵列支持低于60mVdec−1超陡亚阈值摆动 本文，韩国忠北大学Woojin Park、Yonghun Kim、Byungjin Cho等研究人员在《ADVANCED MATERALS》期刊发表名“Chip-Scale Graphene/IGZO Cold Source FET Array Enablin 石墨烯 igzo fet 冷源 igzo冷源 2025-09-18 16:49 6